HIPIMS濺射技術 當前位置:主頁 > 技術說明 > HIPIMS濺射技術
1999年，瑞典Kouznetsov等首先開發采用高功率脈沖作為磁控濺射的供電模式，通過在普通磁控濺射Cu陰極上施加峰值功率達MW級的脈沖放電，獲得了Cu離化率高達70%的等離子體，開辟了高功率脈沖磁控濺射技術的先河，此后其他研究者在HIPIMS技術放電機理、等離子體特性和各種涂層應用等方面做了大量工作。
HIPIMS是高功率脈沖磁控濺射技術（High power impulse magnetron sputtering）的簡稱，其原理是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術，HIPIMS的峰值功率可以達到MW級別，但由于脈沖作用時間短，其平均功率與普通磁控濺射一樣，這樣陰極不會因過熱贈增加靶材冷卻。HIPIMS綜合了磁控濺射低溫沉積、表面光滑、無顆粒缺陷和電弧離子鍍金屬離化率高、膜層結合力強、涂層致密的優點，且離子束流不含大顆粒，在控制涂層微結構的同時獲得優異的膜基結合力，在降低涂層內應力及提高膜層致密性、均勻性等方面具有閑著的優勢，被認為是PVD發展史上近30年來很重要的一項技術突破，特別是在硬質涂層和功能涂層的應用方面有顯著優勢。
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